圧電気の振動センサーを作るための圧電気の要素のPiezo陶磁器の版
圧電気の振動センサーを作るためのPiezo陶磁器の版
圧電気の要素は圧電効果をもたらし、圧電効果はリバーシブルです。圧電効果はある特定の水晶、水晶分極の変更に沿う特定の方向の応用圧力であり、変更は呼ばれた肯定的な圧電効果に比例して、これに対して、水晶緊張の圧力の変数、電界および緊張は電界に比例したで呼ばれます反対の圧電効果と起因しました。圧電効果のために、圧電気の要素は加速圧力をかけるために、温度、質、強制、軍および市民広く達成するために検出を、適用のある特定の非電気量の転換作り出すのに、ある特定の規則に従う電気量への他の非電気量が、いろいろな種類のセンサー制御および伝送機能を、使用することができます。圧電気センサーは圧電気材料の圧電効果そして反対の圧電効果の直接使用です、前はサイズの反映によって発生する圧電気の要素によって充満行いますまたは変更によって測定されるの変更は測定、圧電気の要素の振動または変形の変更を反映します。
圧電気の製陶術は力学的エネルギーおよび電気エネルギーを互いに変え、無機非金属材料に属することができる機能陶磁器材料です。同時に、それは肯定的な反対の圧電効果をもたらします。作り出される圧電気の陶磁器のウエファーは超音波調査、超音波医療機器、超音波流れメートルおよび自動制御で主に使用されます。顕著な性能および完全な指定を使うと、PZTの圧電気のウエファーおよび新しい合成の圧電気のウエファーは異なったタイプの条件に会うことができます
指定
| 次元（mm） |
容量 C （pF） |
弱い 分野 Dissipatio Tgδ （12v） |
強い 分野 Dissip ationTgのδ （400v） |
放射状 頻度 |
Reso nance インピーダンス |
厚く Fre quency |
Cou pling 係数 |
Qu ality 要因 |
|
Φ10xΦ5 x2 |
240±10% | ≤0.5% | ≤1.0% | 153±5% | ≤15 | 1020 | ≥45 | ≥800 |
|
Φ16xΦ8 x4 |
340±10% | ≤0.5% | ≤1.0% | 95.8±5% | ≤20 | 512 | ≥45 | ≥800 |
|
Φ25xΦ10 x4 |
935±10% | ≤0.5% | ≤1.0% | 65.5±5% | ≤15 | 512 | ≥45 | ≥800 |
|
Φ30xΦ10 x5 |
1150±10% | ≤0.5% | ≤1.0% | 58.4±5% | ≤15 | 410 | ≥45 | ≥800 |
|
Φ32xΦ15 x5 |
1080±10% | ≤0.5% | ≤1.0% | 49.2±5% | ≤15 | 410 | ≥45 | ≥800 |
|
Φ35xΦ15 x5 |
1430±10% | ≤0.5% | ≤1.0% | 45.5±5% | ≤15 | 410 | ≥45 | ≥800 |
|
Φ38xΦ15 x5 |
1750±10% | ≤0.5% | ≤1.0% | 43.4±5% | ≤15 | 410 | ≥46 | ≥800 |
|
Φ40xΦ15 x5 |
1970±10% | ≤0.5% | ≤1.0% | 42.8±5% | ≤15 | 410 | ≥45 | ≥800 |
|
Φ42xΦ15 x5 |
2200±10% | ≤0.5% | ≤1.0% | 40±5% | ≤15 | 410 | ≥45 | ≥800 |
|
Φ42xΦ17 x5 |
2110±10% | ≤0.5% | ≤1.0% | 38.8±5% | ≤15 | 410 | ≥45 | ≥800 |
|
Φ45xΦ15 x5 |
2580±10% | ≤0.5% | ≤1.0% | 38.1±5% | ≤15 | 410 | ≥46 | ≥800 |
|
Φ50xΦ17 x5 |
3160±10% | ≤0.5% | ≤1.0% | 34.8±5% | ≤15 | 410 | ≥45 | ≥800 |
|
Φ50xΦ17 x6 |
2430±10% | ≤0.5% | ≤1.0% | 34.8±5% | ≤15 | 315 | ≥45 | ≥800 |
| Φ50x3 | 5800±10% | ≤0.5% | ≤1.0% | 46±5% | ≤10 | 681 | ≥50 | ≥800 |
比較優位
球形の圧電気の陶磁器:
◊の高性能
◊の高い広さ:
◊よい熱抵抗
◊のよい構造:
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会社の紹介:
、北京チェン チェンWeiyeの科学技術Co. 1999年に確立されて、株式会社は超音波トランスデューサーの専門の製造業者です、
超音波装置および圧電気の製陶術。
特に2004年に、私達はaに私達の超音波管状のトランスデューサー装置を研究し、発達させました
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